Raytheon, yüksek güç yoğunluklu Galyum Nitrit/Nitrat (GaN) transistörlerle radyo frekans sensörlerinin elektronik kapasitesini artırmak için DARPA ile 4 yıllık, 15 milyon dolarlık sözleşme aldı…
Geliştirilmiş transistörler, çalışma sıcaklığında herhangi bir artış olmaksızın geleneksel Galyum Nitrit’den 16 kat daha yüksek çıkış gücüne sahip olacak.
Raytheon, radar sistemlerinde kullanıldığında menzil ve radar kaynak yönetimi işlemlerini iyileştiren son teknoloji bir yarı iletken teknolojisi olan askeri sınıf Galyum Nitrit üretmektedir.
Geliştirme, DARPA THREADS olarak bilinen “Heat Removal in Electronics at the Device Scale” programı kapsamında gerçekleştirilmektedir.
Raytheon, askeri sınıf Galyum Nitrit (GaN) transistörleri ve devreleriyle entegrasyon için dünyanın en iyi termal iletkeni olan elmasın yetiştirilmesi amacıyla Donanma Araştırma Laboratuvarı, Stanford Üniversitesi ve Diamond Foundry ile ortaklık yapmaktadır.
Yaklaşık 25 yıldır Raytheon, Galyum Nitrit araştırma ve geliştirmesine yatırım yaparak bunu Patriot, LTAMDS/GhostEye, APG-79(v)4 ve SPY-6 radar gibi savunma sistemlerinde kullanıyor…